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[发明专利]一种氧化镍钛透明导电薄膜的制备方法-CN201910461194.8在审
发明人：孙冬兰;王帅;马佳 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍钛透明导电薄膜的制备方法。本发明的氧化镍钛透明导电薄膜主要包括PET膜、氧化镍薄膜、掺杂在氧化镍薄膜中的少量氧化钛。PET膜为基底，氧化镍钛薄膜为透明导电薄膜。掺杂于氧化镍薄膜中的少量氧化钛提高了氧化镍的离子储存能力，可以用于实际生活中。
氧化镍透明导电薄膜氧化镍薄膜氧化钛掺杂离子储存钛薄膜基底制备

[发明专利]一种改善氧化镍薄膜特性的方法-CN202111356523.6在审
发明人：许美凤;张彦;朱培涛;吴哲;王超男;许田;金永龙 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善氧化镍薄膜特性的方法，所述的氧化镍薄膜是通过溶液法制备的，改善的途径是提高氧化镍的纯度，提高氧化镍纯度的方法是减少氧化镍副产物的产生，减少的副产物是通过合成加热易分解的络合物来实现，合成加热易分解的络合物是通过在氧化镍前驱体溶液中加入二乙醇胺；具体地：从氧化镍薄膜制备的前驱体溶液出发，在氧化镍前驱体溶液中加入二乙醇胺，改变氧化镍薄膜中产生的副产物，提高氧化镍薄膜的特性。本发明从氧化镍薄膜制备的前驱体溶液出发，在前驱体溶液中加入二乙醇胺，改变氧化镍薄膜的合成机制；从而改变氧化镍薄膜中形成的副产物，优化氧化镍薄膜的特性，提高器件的性能。
一种改善氧化薄膜特性方法

[发明专利]一种疏松结构氧化镍薄膜-CN201810280471.0在审
发明人：杨广武;赵帅;李希友 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01G9/048 文献下载
摘要：一种疏松结构氧化镍薄膜。其特征是通过高温热分解去除混合薄膜中的活性炭成分而获得疏松结构氧化镍薄膜。首先配制氧化镍和活性炭的混合浆料，然后在基底上制作氧化镍和活性炭的混合薄膜，最后高温去除混合薄膜中的活性炭成分而获得疏松结构氧化镍薄膜。根据本发明制备的疏松结构氧化镍薄膜能够有效提高氧化镍薄膜的孔隙率，提高电解液在氧化镍薄膜中的流通速度，可用于染料敏化太阳能电池。
氧化镍薄膜疏松结构活性炭混合薄膜氧化镍去除染料敏化太阳能电池高温热分解混合浆料电解液孔隙率基底可用制备配制流通制作

[发明专利]一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法-CN201610859007.8有效
发明人：李颖;赵高扬;杨志孟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明将碳膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，碳/氧化镍复合薄膜的表面光滑，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了制备复合薄膜的制备效率，并且其阻变性能明显优于单一的氧化镍薄膜。
一种氧化电阻存储器薄膜制备方法

[发明专利]氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法-CN201811230289.0有效
发明人：李颖 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，制备氧化镍凝胶薄膜；步骤2，在步骤1制备的氧化镍凝胶薄膜上制备氧化钛凝胶膜，得氧化钛/氧化镍基片；步骤3，在步骤2所得氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜，得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜；步骤4，使用溅射仪对步骤3所得的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜进行顶电极制备，即得。使用本发明的制备方法可以在ITO底电极上一次性制得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结的制备效率。
氧化多层异质结忆阻器制备方法

[发明专利]一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法-CN201610859705.8在审
发明人：李颖;赵高扬;杨志孟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备氧化钛薄膜，得氧化钛/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对氧化钛/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明将氧化钛薄膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，复合的二元金属氧化物薄膜结构简单、材料组份容易控制的特点，同时与传统的CMOS工艺具有良好的兼容性。
一种氧化电阻存储器薄膜制备方法

[发明专利]一种氧化镍薄膜的生长方法、氧化镍薄膜及其光电器件-CN201811181208.2在审
发明人：朱红兵;麦耀华;万梅秀;董忠亮 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镍薄膜的生长方法，该方法在实际生长氧化镍薄膜之前，先通过设定恒定功率模式，通过逐步增加氧气的流量监测靶电压或阴极电压值，从而获得靶电压或阴极电压随含氧气体流量变化的沉积曲线，根据所述曲线选定所述氧化镍薄膜的溅射参数，进而进行氧化镍薄膜的生长，从而获得所述氧化镍薄膜。本发明的氧化镍薄膜生长方法能够根据沉积曲线预先精确选定实际所需的溅射沉积氧化镍薄膜的沉积参数，从而获得了特定性能的氧化镍薄膜，并且该方法生长的氧化镍薄膜用于光电器件中，其光电器件呈现出了优异的性能。
氧化镍薄膜生长光电器件沉积阴极电压恒定功率模式含氧气体溅射沉积流量变化流量监测逐步增加溅射氧气

[发明专利]镍-氢氧化镍复合薄膜电极及制备方法和应用-CN202010831489.2有效
发明人：陈柯宇 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院雷达士官学校
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01G11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍‑氢氧化镍复合薄膜电极及其制备方法和应用，该薄膜电极包括镍颗粒以及原位生长于镍颗粒表面的片状氢氧化镍。本发明的镍‑氢氧化镍复合薄膜电极，其表面为多刺结构，能为电化学反应的发生提供充足的活性位点；本发明的镍‑氢氧化镍复合薄膜电极，片状氢氧化镍和镍颗粒之间的原位结合，有利于电子的快速传输；本发明的镍‑氢氧化镍复合薄膜电极，片状氢氧化镍和镍颗粒之间存在大量孔隙，有利于电解液离子的扩散和传输；本发明制备得到的镍‑氢氧化镍复合薄膜电极，恒流充放电曲线表明，其具有很高的比电容，表明本发明制备的镍‑氢氧化镍复合薄膜电极具有优秀的电化学性能
氢氧化复合薄膜电极制备方法应用

[发明专利]一种高储锂能力的氧化镍电致变色薄膜及其制备方法与应用-CN202210070306.9在审
发明人：刘涌;赵方园;贺海晏;寿春晖;莫建良;韩高荣 -专利权人：浙江大学;浙江浙能技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储锂能力的氧化镍电致变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)利用湿化学法在透明导电基底上沉积氧化镍薄膜的前驱体，退火处理得到透明导电基底/氧化镍薄膜；(2)对透明导电基底/氧化镍薄膜进行氧等离子体改性，得到所述的高储锂能力的氧化镍电致变色薄膜。本发明采用氧等离子对氧化镍薄膜进行改性，利用氧等离子体轰击氧化镍薄膜，可以增加氧化镍薄膜的晶体结构缺陷和反应活性位点，提高薄膜内部的载流子浓度，实现光调制幅度和循环稳定性的同时提升，进而制备得到电致变色性能优异的高储锂能力的氧化镍电致变色薄膜此外，本发明方法工艺简单、易于控制、能够实现氧化镍薄膜的大批量大面积处理，有利于实际工程产业应用。
一种高储锂能力氧化镍电致变色薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种定量锂化氧化镍电致变色薄膜及其制备方法-CN202210730011.X有效
发明人：谢浏莎;赵方园;王雷萌;刘涌;莫建良;韩高荣 -专利权人：玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司;浙江大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种定量锂化氧化镍电致变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)利用化学浴沉积法在透明导电基底上沉积氧化镍前驱体薄膜，得到透明导电基底/前驱体薄膜；(2)采用标准的三电极电池体系对氧化镍前驱体薄膜进行锂化，再退火后制备得到所述的定量锂化氧化镍电致变色薄膜。本发明利用电化学技术在氧化镍前驱体薄膜中定量注入锂离子，并结合退火过程得到定量锂化的氧化镍电致变色薄膜，解决了现有技术中湿化学方法制备锂化氧化镍薄膜过程中锂含量不可控的问题。适量锂离子在氧化镍薄膜中的引入将提供更多的反应活性位点，提升氧化镍薄膜的电致变色性能。且本发明方法易于控制、工艺相对简单、便于大规模工业化生产。
一种定量氧化镍电致变色薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氧化镍-锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法-CN201811432139.8有效
发明人：宁兴坤;陈明敬;孟庆刚;王淑芳;李晓苇;杨昆;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法，所述氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜材料包括锆酸铅薄膜和氧化镍，所述氧化镍呈纳米柱结构且分布在所述锆酸铅中，所述氧化镍的体积为所述复合薄膜材料的1~20%；所述氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜材料是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明复合薄膜材料的制备工艺简单，氧化镍纳米柱的直径、分布、厚度精确可控，所得氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜兼具良好的储能密度、铁电性能和介电性能，有效提高了复合薄膜材料的综合性能，且生产成本低，应用前景广阔
一种氧化锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有光催化性能的氧化镍制备方法-CN201910283245.2在审
发明人：杨淑;孙媛;王洁;刘传歆 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：一种具有光催化性能的氧化镍制备方法，直接在镍基体上经过镍基体除油处理步骤；镍基体抛光处理步骤；阳极氧化制备多孔结构的氢氧化镍薄膜步骤；然后退火制备氧化镍薄膜步骤；本发明采用阳极氧化和退火的方法对镍基体进行表面处理，得到氧化镍薄膜；通过调整阳极氧化时间、电压和电流密度，可对多孔氧化镍的尺寸进行调控，最终得到具有光催化性能的氧化镍薄膜，光催化性能测试后样品直接取出清洗回收，工艺简单且易于调控、重复性好。
光催化性能镍基体制备氧化镍薄膜阳极氧化退火氧化镍抛光处理步骤氢氧化镍薄膜多孔氧化镍多孔结构调控除油清洗取出测试回收

[发明专利]氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED-CN202010844701.9有效
发明人：赵维巍;王浩然 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）;深圳石墨烯创新中心有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于空穴传输材料技术领域，具体涉及一种氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED。该氧化镍复合薄膜的制备方法包括如下步骤：提供初始氧化镍薄膜；在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐，然后进行氧等离子体处理，得到所述氧化镍复合薄膜。该制备方法能够显著提高氧化镍复合薄膜的功函数，并可提高功函数的稳定性，因此具有很好的空穴传输性能，在发光器件中具有很好的应用前景。
氧化复合薄膜及其制备方法 led

[发明专利]一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法-CN201410110946.3有效
发明人：李颖;赵高扬;王娅静 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，将钛酸丁酯和无水乙醇混合加入氧化镍溶胶中，搅拌陈化得到钛掺杂的氧化镍溶胶；采用浸渍提拉法在二氧化锡基板上进行薄膜提拉，将提拉制得的薄膜在室温下进行干燥，得到钛掺杂的氧化镍薄膜；将钛掺杂的氧化镍薄膜热处理后使用溅射仪对其进行顶电极的制备，即得到钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜。本发明制备方法，简便、易行；与常用的半导体薄膜的制备技术相比，这种溶胶‑凝胶方法因为不需要复杂、昂贵的设备，工艺参数易于控制，能大大地降低生产成本，并能制备大面积薄膜；在进行氧化镍薄膜的掺杂时，掺杂工艺简单
一种掺杂氧化电阻存储器薄膜制备方法

[发明专利]一种氧化镍电致变色薄膜的制备方法-CN201710578242.2有效
发明人：邱建华;陈召;王秀琴;陈智慧;袁宁一;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-07-16 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于功能材料制备领域，尤其涉及一种氧化镍电致变色薄膜的制备方法。按照清洗导电玻璃、制备前驱体溶液、利用喷墨机制备氧化镍电致变色薄膜的工艺步骤制备薄膜。本发明的优点在于：一步制备氧化镍电致变色薄膜，工艺简单，成本低廉，易于掺杂，能大面积制备均匀性和致密性良好的氧化镍电致变色薄膜，在很大程度上提高了氧化镍薄膜的电致变色效率。
电致变色薄膜氧化镍制备制备前驱体溶液电致变色效率氧化镍薄膜导电玻璃工艺步骤功能材料一步制备均匀性致密性薄膜清洗掺杂

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